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网上搜索了下,为什么大家都选择上汽好车e贷贷款买车?

冰渝娱乐

2021/5/5 12:47:22

网上搜索了下,为什么大家都选择上汽好车e贷贷款买车?
最佳答案:

个人赶脚,有上汽国企背景,可能大家觉得在安全性上更有保障些,毕竟涉及到金融都有风险性的,现下这种经济情形,风险规避到最小,才是正确的选择。

小晨说财经

2021/5/8 21:02:25

其他回答(1个)

  • 家有姐妹花

    2021/5/12 6:32:57

    长久以来我们一直都闯入了一个误区:认为晶体管是越做越小。其实不完全是这样的。

    晶体管是朝着2个方向发展的:

    信息电子方向:将晶体管越做越小,越做越快。当今的电脑、手机、通信芯片等都属于这个范畴。

    电力电子方向:将晶体管越做越大,越做越快。其代表产品就是IGBT,它广泛的应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备等领域。

    下图就是我们常见到的一些普通晶体管(仅展示部分,并非全部)。因为性能、封装的不同,所以它们会有不同的外观。

    晶体管的作用

    晶体管(Transistor)是一种固体半导体器件,包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等等,它具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。

    晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流,与普通机械开关不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快。

    与电子管相比,晶体管具有更多的优越性:

    1、晶体管构件没有消耗;

    电子管会因为阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣质化。晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍。

    2、晶体管耗电能极少;

    晶体管消耗的电能仅为电子管的十分之一或几十分之一。电子管需要加热灯丝产生自由电子,而晶体管不需要。一台晶体管收音机只需要几节干电池就可以听半年以上,电子管的收音机就很难做到。

    3、晶体管不需要预热;

    晶体管一开机就可以工作。电子管设备做不到这点,开机后需要等待一会。

    4、晶体管结实可靠;

    普通晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,耐冲击,耐振动,可以说晶体管使电路小型化、集成化、大规模化成为了可能。

    芯片的晶体管为什么越做越小?

    芯片上集成了很多的晶体管,这些晶体管控制了很多电流,如果晶体管的尺寸逐渐变小的话,里面源极和漏极之间的那个沟道长度L也会相应的缩短,沟道长度变小后,晶体管就会有更快的反应速度,更低的控制电压。

    但进入28nm后再按照以往的经验来缩减晶体管尺寸,将会失效。当沟道缩短到一定程度之后,在芯片里面就会因为量子的隧穿效应,此时晶体管关断。目前业内通过Fin-FET(鳍式场效应晶体管),SOI(在晶体管之间,加入绝缘物质)等技术来解决这个问题。

    芯片做小后主要会有以下几个好处

    1、节能:晶体管大了,走的电路就越多,耗能就越大;晶体管做的越小,电流可以走更多捷径,多节能环保。

    2、性能提高:晶体管越小,同一块芯片单位面积内能工作的晶体管更多了,性能就更好。

    3、减少成本:芯片小了,一个硅片能做成更多的成品芯片,很大程序的降低了成本。

    4、减少芯片占用空间:芯片做小了,我们的电脑、手机才可能做得更小、更薄。

    所以芯片的趋势就是越做越小,越做性能越强。有种说法,当价格不变时,集成电路上能容纳的元器件的数目,约每隔18~24个月就会增加一倍,性能也将提升一倍,这就是有名的摩尔定律。所以芯片的进化,就是晶体管变小的过程。

    电力电子晶体管为什么越做越大?

    电力晶体管(Giant Transistor直译为巨型晶体管),是一种耐高电压、大电流的双极结型集体管(Bipolor Junction Transistor-BJT)。电力晶体管开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大。

    而IGBT,绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor)也是三端器件(含栅极、集电极和发射极)。IGBT综合了电力晶体管(GTR)和电力场效应管的优点。

    电力电子晶体管之所以会越做越大,得先看一下它的发展历史:

    • 1957年,通用电气公司(General Electric)根据肖克利的“勾型”(就是PNPN四层晶闸管结构)晶体管结构研制出第一个300V/25A可控硅SCR(后来叫晶闸管)。可控硅能处理较高的电压电流,开辟了以处理能力为目的的电力电子的新领域。

    • 1962年,GE公司研制出第一个600V/200A的GTO(可关断晶闸管),克服了普通可控硅不能门极控制关断的缺点。但GTO在实际应用中容易烧毁。

    • 1974年,日本东芝等公司采用NTD单晶片并通过计算机模拟技术,在GTO研制上取得突破,生产出1200V/2000A的GTO。而越做越大的双极晶体管采用垂直结构、达林顿级联技术以及多元胞集成并联等技术已经做到了500V/200A/50(电流放大倍数hFE),此时已经称作GTR。

    • 因MOS集成电路在20世纪70年代末得到了飞速发展。1982年,CE公司的美籍印度人B.J.Baliga和Motorola公司几乎独自同时发明了IGBT。

    • 1984年GE公司的V.A.K. Temple发明性能更为优越的MCT(H),在1991年商品化生产,但在20世纪90年代末因结构过于复杂成品率低而陷于停滞状态。

    • 1972年,日本人西泽润一采用JFET结构研制出了静电感应晶体管及晶闸管SIT、SITH。

    • 20世纪90年代初,日本三菱公司研制开发的以IGBT为基础的智能功率模块(IPM)经过十年的改进,也进入了成熟应用。

    • 1995年,西门子公司首次推出了非穿通结构(Non Punch Through)的NPT-IGBT,这在技术上是一个里程碑。因为,NPT-IGBT技术可以使功率开关器件在高温可靠性、安全工作区、超高耐压、低成本、高开关性能等诸多方面同时得到显著提高。采用NPT-IGBT技术及GTO圆片工艺,目前已经可以做出6500V/600A的NPT-IGBT。

    • 在20世纪80年代认为要大大发展的功率集成电路(PIC-Power Integrated Circuit)主要包括高压集成电路HVIC和智能功率集成电路(Smart Power IC)有所发展,但发展不快,应用范围也较小。

    • 当今电力电子器件正朝着高可靠、高功率频率积、高集成化、高智能化、低成本化、高允许工作温度的方向发展。

    从上图可见,如果没有电力电子晶体管,在宏观的世界里就不会带给我们带来这么多便利,芯片也很难越做越小。

    晶体管不管是从微观和宏观的发展都改变了这个世界,促进了整个时代的发展。它是建设现代化信息社会的基石。

    以上个人浅见,欢迎批评指正。喜欢的可以关注我,谢谢!

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